マイクロ波プラズマジェットを用いた単結晶ダイヤモンド基板の数値制御平坦化
書誌事項
- タイトル別名
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- Ar+O<sub>2</sub>プラズマジェットの加工特性
抄録
近年，ワイドギャップ半導体デバイスへの応用を目的とした，ダイヤモンド基板の大型化・高品質化が期待されている．物質中最高の熱伝導性を活かせるパワーデバイスが実用可能となれば，車載用インバータを冷却フリー化でき，省エネに貢献できると考えられる．Ar+O2ガスを用いた大気圧のマイクロ波プラズマジェットによるドライエッチングにより，単結晶ダイヤモンド基板に対して36μｍ/h（φ1.4 mm）以上のエッチングレートを得た．
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2013S (0), 211-212, 2013
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205654909056
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- NII論文ID
- 130005031676
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可