Study on fine particle behavior in SiO<sub>2</sub> film CMP using evanescent field

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  • エバネッセント光を応用したSiO<sub>2</sub>膜CMPにおける研磨微粒子の挙動に関する研究

Abstract

ILD/STI-CMPにおける材料除去モデルとして、研磨微粒子の転動によって化学反応膜分子を除去するモデルを支持している。実際の研磨時の研磨微粒子の挙動を研磨面表面近傍に限定して観察し、研磨現象の把握と、研磨への微粒子の寄与を明らかにすることを目的とする。コロイダルシリカスラリー、セリアスラリーを用いて実験を行い、研磨面での微粒子の転動・滑り運動を確認した。微粒子単独での材料除去現象への作用が推察される。

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  • CRID
    1390001205655552000
  • NII Article ID
    130004660083
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2011a.0.165.0
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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