エバネッセント光を応用したSiO<sub>2</sub>膜CMPにおける研磨微粒子の挙動に関する研究
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- 出井 良和
- 九工大 大学院情報工学府情報システム専攻機械情報工学分野
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- 木村 景一
- 九工大 大学院情報工学研究院機械情報工学研究系
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- 鈴木 恵友
- 九工大 大学院情報工学研究院機械情報工学研究系
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- カチョーンルンルアン パナート
- 九工大 大学院情報工学研究院機械情報工学研究系
書誌事項
- タイトル別名
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- Study on fine particle behavior in SiO<sub>2</sub> film CMP using evanescent field
抄録
ILD/STI-CMPにおける材料除去モデルとして、研磨微粒子の転動によって化学反応膜分子を除去するモデルを支持している。実際の研磨時の研磨微粒子の挙動を研磨面表面近傍に限定して観察し、研磨現象の把握と、研磨への微粒子の寄与を明らかにすることを目的とする。コロイダルシリカスラリー、セリアスラリーを用いて実験を行い、研磨面での微粒子の転動・滑り運動を確認した。微粒子単独での材料除去現象への作用が推察される。
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2011A (0), 165-166, 2011
公益社団法人 精密工学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390001205655552000
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- NII論文ID
- 130004660083
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可