バイアス電圧印加を併用した光電気化学反応によるGaN基板の高能率平坦加工

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タイトル別名
  • High-efficiency planarization of GaN wafers using photo-electro chemical reaction with applying bias

抄録

GaNは省エネルギーパワーデバイス用半導体基板材料として注目されているが，その高硬度・化学的安定性のため高能率・高精度な研磨技術が未確立である．我々は触媒定盤表面を基準面とする新しい化学研磨技術によってGaN基板の高能率・高精度平坦化加工に取り組んでいる．本報では研磨時にバイアス電圧を印加することによって加工速度の向上に成功した結果について述べ，そのメカニズムについて考察する．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205655567872
  • NII論文ID
    130004660092
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2011a.0.181.0
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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