SiCの臨界切込み深さに及ぼす結晶方位及びUV照射の影響

DOI
  • 小辻 利幸
    京都工芸繊維大　機械システム工学部門
  • 太田 稔
    京都工芸繊維大　機械システム工学部門
  • 江頭 快
    京都工芸繊維大　機械システム工学部門
  • 山口 桂司
    京都工芸繊維大　機械システム工学部門

書誌事項

タイトル別名
  • Influence of crystal orientation and UV-ray irradiation on critical depth of cut of SiC

抄録

ワイドギャップ半導体であるSiCが次世代パワー半導体材料として期待されている. しかし、SiCは優れた特性を有するがゆえに加工が困難である．そこで筆者らはSiCの新しい研削方法として，紫外光の光化学反応を重畳したUVアシスト研削を考案した．本研究では，UVアシスト研削における加工特性を知るため，単粒研削を模した単結晶SiCのスクラッチ試験を行い，臨界切込み深さに及ぼす結晶方位とUV照射の影響を明らかにした.

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205656143232
  • NII論文ID
    130005264094
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2016s.0_925
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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