グリーンデバイス用結晶基板の加工プロセス技術の研究開発（第7報）

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タイトル別名
  • Development of the polishing process technology of the crystal substrate for green devices (The 7<sup>th</sup> Report)
  • ダイラタンシー・パッド<sup>TM</sup>を用いたSiC基板の高速圧加工に関する研究
  • Study on high rotational speed/ pressure polishing of SiC substrate using with the dilatancy pad<sup>TM</sup>

抄録

将来型高性能・多機能半導体として脚光を浴びているワイドギャップ半導体材料基板（SiC，GaNなど）の高能率・高品位加工プロセス開発の一環として研究を展開している。本報では、これまで困難であった高能率・高品位加工の両立を目指し、独自に開発した高剛性の高速圧加工装置、ならびに革新的な特殊粘弾性パッド（ダイラタンシー・パッド）を用いた革新的加工プロセスに関する研究開発の内容について報告する。

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390001205657578752
  • NII論文ID
    130005486319
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2015s.0_535
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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