準大気圧下でのX線光電子分光測定による水分子が吸着した極薄GeO<sub>2</sub>/GeおよびSiO<sub>2</sub>/Si構造の観察
-
- 有馬 健太
- 大阪大学
書誌事項
- タイトル別名
-
- Water-Adsorbed Ultrathin GeO<sub>2</sub>/Ge and SiO<sub>2</sub>/Si Structure Studied In Situ by Near-Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy
- 準大気圧下でのX線光電子分光測定による水分子が吸着した極薄GeO₂/GeおよびSiO₂/Si構造の観察
- ジュンタイキ アッカ デ ノ Xセン コウデンシ ブンコウ ソクテイ ニ ヨル ミズブンシ ガ キュウチャク シタ ゴクウス GeO ₂/Ge オヨビ SiO ₂/Si コウゾウ ノ カンサツ
この論文をさがす
説明
<p>We carried out near-ambient-pressure X-ray photoelectron spectroscopy (NAP-XPS) measurements of water-adsorbed ultrathin GeO2 films on Ge substrates, and the results were compared with those for SiO2 films on Si. We obtained NAP-XPS spectra at relative humidity (RH) values of up to ∼15% and showed that the GeO2/Ge structures attract more water molecules than the SiO2/Si structures at RH above ∼10−4%. This is probably because water molecules infiltrate the GeO2 films to form hydroxyls. Then we revealed positive charging of the water-adsorbed SiO2 films by their interaction with X-rays. For the water-adsorbed GeO2 films, we observed greater positive charging of the films, of which origin is discussed.</p>
収録刊行物
-
- 表面科学
-
表面科学 38 (7), 330-335, 2017
公益社団法人 日本表面科学会
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390001206457530112
-
- NII論文ID
- 130005815221
-
- NII書誌ID
- AN00334149
-
- ISSN
- 18814743
- 03885321
-
- NDL書誌ID
- 028381697
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- NDLサーチ
- Crossref
- CiNii Articles
- OpenAIRE
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
