SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI（Ge on Insulator）の形成―人工単結晶への道―

DOI Web Site 参考文献31件
  • 宮尾 正信
    九州大学　大学院システム情報科学研究院
  • 佐道 泰造
    九州大学　大学院システム情報科学研究院
  • 都甲 薫
    九州大学　大学院システム情報科学研究院
  • 黒澤 昌志
    九州大学　大学院システム情報科学研究院

書誌事項

タイトル別名
  • SiGe-mixing-triggered rapid-melting growth for Ge-on-insulator formation―A road to artificial crystal―
  • SiGe ミキシング ユウキ ヨウユウ セイチョウ ニ ヨル GOI(Ge on Insulator)ノ ケイセイ : ジンコウタンケッショウ エ ノ ミチ

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抄録

<p>Si集積回路のポスト・スケーリング技術として高品質GOI（Ge on Insulator）構造の形成技術が注目を集めている．固化温度の勾配空間をSi -Geミキシングで作り出し，Ge成長を自己組織的に起動する新しい溶融成長法を紹介する．cmに至る巨大単結晶Geや網目状Geが絶縁膜上に実現した．Siマイクロシード技術との重畳で，Si（100）基板上へのGe（111）混載も可能となった．人工単結晶の創成に拍車を掛ける結果と考えられる．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 81 (5), 410-414, 2012-05-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (31)*注記

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