書誌事項
- タイトル別名
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- Analysis on the Shapes of the Shockley type Stacking Faults Generated by the REDG Effect in the 4H-SiC Power Devices
- 4H-SiC デンリョク ソシ チュウ デ ノ REDG コウカ ニ ヨリ セイチョウ シタ Shockleyガタ セキソウ ケッカン ノ ケイジョウ ニ ツイテ ノ カイセキ
- 公開日
- 2020-08-31
- DOI
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- 10.5940/jcrsj.62.150
- 公開者
- 日本結晶学会
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説明
<p>A complete set of 12 different dissociated states of basal-plane dislocation loops in 4H-SiC has been derived from experimental observations and crystallographic space group discussion. We have observed dissociated states of dislocations in 4H-SiC power devices using synchrotron X-ray Berg-Barrett topography, and analysis results are summarized. The arrangement of the results is used to discuss the shapes of Shockley-type stacking faults which were generated by recombination enhanced dislocation glide. The list of the dissociated states of basal-plane dislocation loops is useful also for the analysis of dislocation structures in hexagonal lattice.</p>
収録刊行物
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- 日本結晶学会誌
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日本結晶学会誌 62 (3), 150-157, 2020-08-31
日本結晶学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390004222610888448
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- NII論文ID
- 130007896094
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- NII書誌ID
- AN00188364
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- ISSN
- 18845576
- 03694585
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- NDL書誌ID
- 030651224
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- Crossref
- CiNii Articles
- OpenAIRE
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
