高分子電解質を用いたワイドギャップ半導体の高能率電解複合研磨
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- 巴山 顕真
- 立命館大 理工学研究科 機械システム専攻
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- チェノル シャヒラ ビンティ チェ ズルキフリ
- 立命館大 理工学部 機械工学科
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- 村田 順二
- 立命館大 理工学部 機械工学科
抄録
<p>次世代の高周波半導体デバイス用材料としてワイドギャップ半導体の研究開発がすすめられている。ワイドギャップ半導体は機械的強度や化学的安定性の高い難加工材料であり、高品質な結晶表面を得るためには長時間の研磨が必要となる。そこで本研究では研磨パッドに固体高分子電解質を用いる電解複合研磨を提案する。高分子電解質が表面を酸化し、同時に砥粒が酸化膜を除去することによって、高能率な電解複合研磨法を開発した。</p>
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2021S (0), 309-310, 2021-03-03
公益社団法人 精密工学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390007779708019968
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- NII論文ID
- 130008083981
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可