PCVMを用いた水素による酸化ガリウムの表面加工

DOI
  • 崔 泰樹
    大阪大 大学院 工学研究科 物理学系専攻
  • 山内 和人
    大阪大 大学院 工学研究科 物理学系専攻
  • 佐野 泰久
    大阪大 大学院 工学研究科 物理学系専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Etching Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> by PCVM with H<sub>2</sub>

抄録

<p>大きなバンドキャップおよび絶縁破壊電界強度の値を有することから次世代パワーデバイス半導体として注目される酸化ガリウムであるが、欠点としてへき開性が高いことが挙げられる。そのため表面加工においてダメージレスな加工法が必要となる。そこで本研究では水素を用いたPCVMによる酸化ガリウムの加工を提案している。結果としてある一定温度を越えると水素ラジカルの脱離によって加工レートが落ちるという結果が得られた。</p>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390010292568994048
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2021a.0_463
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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