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3次元SiC－MOSFETにおける不純物層設計技術
DOI
久本 大
日立研開
手賀 直樹
日立研開
谷 和樹
日立研開
須藤 建瑠
日立研開
毛利 友紀
日立研開
書誌事項
タイトル別名
Design Concept of Impurity Layers’ Configurations in 3-Dimensional SiC MOSFETs
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 216-216, 2019-02-25
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
10p-W922-4
シンポジウム
イオン注入技術の進展 〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜
ワイドギャップ半導体
SiC MOSFETs
3次元構造
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390011727208548352
DOI
10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_216
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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