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光電気化学反応を利用したn-GaN表面ダメージ層の除去
DOI
松本 悟
北大量集センター
枝元 将彰
北大量集センター
熊崎 祐介
北大量集センター
佐藤 威友
北大量集センター
書誌事項
タイトル別名
Removal of damaged layer from n-GaN surface using photoelectrochemical reactions
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3094-3094, 2017-03-01
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
14a-315-2
半導体
化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価
窒化ガリウム
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390012711638157184
DOI
10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3094
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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