シリコンウェーハの両面研磨加工におけるウェーハフラットネスの向上
書誌事項
- タイトル別名
-
- Improvement of surface flatness in a double-sided polishing process of silicon wafers
抄録
<p>半導体デバイスの基板材料であるシリコンウェーハには高いフラットネスが求められるが，その両面研磨加工工程では，ウェーハ面内で均一な加工量分布を得ることが難しい．そのためフラットネスが悪化しやすく，特に，ウェーハ半径方向に厚さむらが生じて加工後のウェーハが凸形状となることが問題となっている．本研究では，両面研磨加工におけるウェーハのフラットネス向上を目的に，加工量分布に対する加工条件の影響を検討した．</p>
収録刊行物
-
- 精密工学会学術講演会講演論文集
-
精密工学会学術講演会講演論文集 2023S (0), 154-155, 2023-03-01
公益社団法人 精密工学会