電磁波シールドパッケージにおけるモールド樹脂とスパッタ成膜間の界面挙動

  • 本間 荘一
    キオクシア株式会社 メモリパッケージ開発部(三重県) 大阪大学大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
  • 岡田 大地
    キオクシア株式会社 メモリパッケージ技術部
  • 澤登 昭仁
    キオクシア株式会社 メモリパッケージ開発部(三重県)
  • 山本 進
    キオクシア株式会社 メモリパッケージ開発部(三重県)
  • 井本 孝志
    キオクシア株式会社 メモリパッケージ開発部 (神奈川県)
  • 西川 宏
    大阪大学接合科学研究所

書誌事項

タイトル別名
  • Interfacial Behavior Between Mold Resin and Sputtered Film Deposited on Electromagnetic Shield Packages
  • デンジハ シールドパッケージ ニ オケル モールド ジュシ ト スパッタセイマク カン ノ カイメン キョドウ

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説明

Many studies have examined electromagnetic shield packages for preventing electromagnetic interference, and several have discussed adhesion between the mold resin and the electromagnetic wave shielding film. In this study, we investigated the interfacial behavior between mold resin and sputtered stainless steel film as an electromagnetic wave shielding film. Two mold resin samples with different amounts of SiO2 filler formed on an organic wiring substrate were plasma etched with different gas flow ratios of Ar and N2. After etching, stainless steel film and Cu film were formed on the mold resin by sputtering. Adhesion was evaluated by the crosscut method. The results showed that adhesion between the mold resin and the sputtered stainless steel film improved as the exposure of the SiO2 filler increased and as the N2/(Ar + N2) gas flow ratio in the etching gas was increased. As the N2/(Ar + N2) gas flow rate ratio increased, the amount of resin etched increased, exposing more SiO2 filler. XPS analysis showed that this increased adhesion by enabling polar interactions between metal atoms and amino group nitrogen atoms. IR reflow after moisture absorption decreased the amount of nitrogen at the interface, breaking the metal-nitrogen polar interaction and oxidizing the metal, resulting in reduced adhesion.

収録刊行物

  • Journal of Smart Processing

    Journal of Smart Processing 12 (5), 291-298, 2023-09-10

    一般社団法人 スマートプロセス学会 (旧高温学会)

参考文献 (12)*注記

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