放射光マイクロビームX線回折による化合物半導体の転位分布測定
書誌事項
- タイトル別名
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- Distribution Measurements of Dislocations in Compound Semiconductors by Synchrotron Microbeam X-ray Diffraction
抄録
化合物半導体における単一転位のその場観察技術の確立に向けて、放射光マイクロビームによるX線回折の面内マッピングを実施した。その結果、GaN 基板においては貫通転位、InGaAs/GaAs ヘテロエピタキシャル薄膜においてはミスフィット転位と思われるX線回折強度の面内分布が得られた。今後は同測定技術をその場観察に応用するため、集光光学系および結晶成長装置の温度安定性の確保等のさらなる検討が必要である。
収録刊行物
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- SPring-8/SACLA利用研究成果集
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SPring-8/SACLA利用研究成果集 12 (1), 4-7, 2024-02-29
公益財団法人 高輝度光科学研究センター
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390017843875567872
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- ISSN
- 21876886
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可