デバイス試作によるワイドギャップ半導体評価

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抄録

・低転位密度GaN基板を用いることによるPNダイオードの特性改善効果 ・GaNのウエットエッチング技術の開発とデバイス製造プロセスへの応用 ・フォトンリサイクリング効果～低転位化によってもたらされるオン抵抗の低減理由

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390017965055020928
  • DOI
    10.15002/00030277
  • HANDLE
    10114/00030277
  • ISSN
    02860201
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • IRDB
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用可

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