EOT=0.5nmに向けたTaSi<sub>2</sub>/La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/CeO<sub>x</sub>ゲートスタック構造の検討
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.1 (0), 2802-2802, 2010-03-03
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390017975918871936
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- ISSN
- 24367613
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC