書誌事項
- タイトル別名
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- Analysis of O(1D) Distribution by Time-Resolved Measurement of Ozone Density for Application of UV-light Excited Ozone to Oxidation Process
- オゾン濃度その場測定によるUV光励起オゾン低温酸化プロセス中のO(1D)の時間分布の解析
- オゾン ノウド ソノバ ソクテイ ニ ヨル UVコウ レイキ オゾン テイオン サンカ プロセス チュウ ノ O 1D ノ ジカン ブンプ ノ カイセキ
- 公開日
- 2006
- DOI
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- 10.3131/jvsj.49.123
- 公開者
- 一般社団法人 日本真空学会
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説明
Silicon oxidation process using UV-light excited ozone, i.e., ca. 100% ozone atmosphere irradiated by KrF excimer laser light (λ=248 nm), is one of the most promising techniques to fabricate a high-quality SiO2 film at low temperatures. To clarify the mechanism of the silicon oxidation and to optimize the conditions of oxidation, we have done a time-resolved measurement of ozone density. The result shows that there are three stages of ozone density change. The calculated ozone density based on a reaction model fits the observed density at the first stage.<br>
収録刊行物
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- 真空
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真空 49 (3), 123-125, 2006
一般社団法人 日本真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679040282240
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- NII論文ID
- 10018133449
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- NII書誌ID
- AN00119871
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- ISSN
- 18809413
- 05598516
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- NDL書誌ID
- 7930658
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
