書誌事項
- タイトル別名
-
- The Effect of Stress due to Impurity on Point Defect Generation in Silicon Crystal.
- シリコン ケッショウ チュウ ノ テン ケッカン ケイセイ ニ タイスル フジュンブツ ゲンシ ノ オウリョク コウカ
この論文をさがす
抄録
Equilibrium concentration change of point defects in Si crystal due to the stress by doping impurities is estimated. The relationship between equilibrium concentration of point defects and secondary defect generation are discussed. It is considered that the changing point defect concentration only about 0.1% affects the secondary defect generation.
収録刊行物
-
- 真空
-
真空 42 (3), 349-352, 1999
一般社団法人 日本真空学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390282679042106112
-
- NII論文ID
- 10002476577
-
- NII書誌ID
- AN00119871
-
- ISSN
- 18809413
- 05598516
-
- NDL書誌ID
- 4716333
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
