半導体への電界の浸みこみを考慮した櫛歯アクチュエータの特性解析

DOI Web Site Web Site BIBCODE 被引用文献1件 参考文献5件
  • 植木 真治
    BEANSプロジェクト　3DBEANSセンター オムロン(株) 技術本部 コアテクノロジーセンター
  • 西森 勇貴
    静岡大学 電子工学研究所
  • 今本 浩史
    オムロン(株) 技術本部 コアテクノロジーセンター
  • 久保田 智広
    BEANSプロジェクト　3DBEANSセンター 東京大学
  • 杉山 正和
    BEANSプロジェクト　3DBEANSセンター 東京大学
  • 寒川 誠二
    BEANSプロジェクト　3DBEANSセンター 東北大学 流体科学研究所
  • 橋口 原
    BEANSプロジェクト　3DBEANSセンター 静岡大学 電子工学研究所

書誌事項

タイトル別名
  • Analysis of a Comb-Drive Actuator Taking the Depletion Layer into Consideration
  • ハンドウタイ エ ノ デンカイ ノ シミコミ オ コウリョ シタ クシシ アクチュエータ ノ トクセイ カイセキ

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抄録

We have analyzed the effect of penetration of the electric field into the semiconductor on the electrical and mechanical characteristics of comb-drive actuators. In this study we found two specific effects due to the depletion layer: (1) the electro-mechanical conversion factor is a function of the depletion layer and becomes smaller than that for the “ideal conductor” assumption, and (2) an additional stiffness appears in the mechanical system. Following the change in the electro-mechanical conversion factor, the resonance peak becomes lower than that of an ideal conductor. These effects are relatively small when the gap between the comb-fingers and the substrate is of the order of a micrometer. However if the gap is 0.1μm, the electro-mechanical conversion factor decreases by about 2.8%. In this analysis, we have taken only the depletion effect into account; however, for a more complete analysis we should also consider the surface traps induced by unpassivated surface bonds.

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被引用文献 (1)*注記

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参考文献 (5)*注記

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