コヒーレントEUV光源を用いたEUVLマスクの欠陥検出

DOI Web Site Web Site 被引用文献2件 参考文献42件
  • 永田 豊
    理化学研究所基幹研究所 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 科学技術振興機構 CREST
  • 原田 哲男
    兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 科学技術振興機構 CREST
  • 渡邊 健夫
    兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 科学技術振興機構 CREST
  • 緑川 克美
    理化学研究所基幹研究所
  • 木下 博雄
    理化学研究所基幹研究所 兵庫県立大学高度産業科学技術研究所 科学技術振興機構 CREST

書誌事項

タイトル別名
  • Detection of Defects in EUVL Mask using Coherent EUV Source
  • コヒーレント EUV コウゲン オ モチイタ EUVL マスク ノ ケッカン ケンシュツ

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抄録

The detection and evaluation of printable defects in extreme ultraviolet lithography (EUV) masks are one of the most critical issues for high-volume manufacturing of next generation semiconductor. The coherent EUV scatterometry microscope is a strong candidate for high-precision inspection of defects. We have developed the high-order harmonics generation system to generate coherent EUV light using the commercial table-top laser system. The low beam divergence was measured to be 0.18mrad for 13.5nm (59th) high-order harmonics. The spatially coherent, 59th harmonics was improved the contrast ratio of diffraction images. Defect signals were observed from the 2-nm width line-defect in the 88-nm line-and-space (L/S) pattern and the 54-nm defect in the 360nm pitch pattern using coherent scatterometry microscope equipped with high-order harmonics generation system as a practical coherent EUV light source.

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被引用文献 (2)*注記

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参考文献 (42)*注記

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