Diffusion mechanism of thin-film multi layer of AlN submount

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  • AlN多層基板における金属拡散現象の追跡

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AlNセラミックスは、数あるセラミックス材料の中でも、その特徴とする高熱伝導率と半導体デバイスに近似した熱膨張係数故に、主としIGBT,GaAs,LED等のパワーデバイス素子の搭載用基板として使用されてきている。本論文ではより高い信頼性を持つ基板を得るために、AlN/Ti/Pt/Au/(Au/Sn)系AlN多層基板に於ける半田層界面及びPtバリア層の温度によるバリア特性等の金属元素の動きををAuger、XPSにより追跡したので報告する。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680533290752
  • NII Article ID
    130005469772
  • DOI
    10.11486/ejisso.25.0_241
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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