AlN多層基板における金属拡散現象の追跡

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Diffusion mechanism of thin-film multi layer of AlN submount

説明

AlNセラミックスは、数あるセラミックス材料の中でも、その特徴とする高熱伝導率と半導体デバイスに近似した熱膨張係数故に、主としIGBT,GaAs,LED等のパワーデバイス素子の搭載用基板として使用されてきている。本論文ではより高い信頼性を持つ基板を得るために、AlN/Ti/Pt/Au/(Au/Sn)系AlN多層基板に於ける半田層界面及びPtバリア層の温度によるバリア特性等の金属元素の動きををAuger、XPSにより追跡したので報告する。

収録刊行物

キーワード

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680533290752
  • NII論文ID
    130005469772
  • DOI
    10.11486/ejisso.25.0_241
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

問題の指摘

ページトップへ