LSIプロービングのためのソフトバンププロセス
書誌事項
- タイトル別名
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- Soft bump process for LSI probing
抄録
LSIデバイスの高密度化に伴う電極の小型化、狭ピッチ化によって、デバイス試験時のプロービングが困難になってきている。従来のプロービングでは、Alの電極を機械的な力で破壊する方法で電気的コンタクトを確保してきたが、プロービングに必要な100 mN程度の大きな力は、デバイスやプローブにダメージを与え、プローブのマイクロ化を制限するなどの問題を起こしている。本研究では、デバイス電極上に除去可能な導電性の材料で作製したバンプを用いてコンタクトする新しい方法を提案する。本報では、既存の導電性樹脂材料を用いてコンタクト性の基本的な特性測定を行った結果を報告する。
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2005S (0), 50-50, 2005
公益社団法人 精密工学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680626932736
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- NII論文ID
- 130004657644
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
- KAKEN
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可