ＨＷＣＶＤ法によるシリコン炭窒化膜の摩擦係数評価

山田 知広, 川島 慎吾, 中上 昌俊, 門谷 豊, 和泉 亮

doi:10.11522/pscjspe.2012a.0.313.0

ＨＷＣＶＤ法によるシリコン炭窒化膜の摩擦係数評価

DOI

山田知広

九工大,九州職業能力開発大
川島慎吾

九工大　工学府
中上昌俊

九工大　工学府
門谷豊

トップマコート　研究開発部
和泉亮

九工大, トップマコート

書誌事項

タイトル別名

Evaluation of friction-coefficient of silicon carbon nitride films by HWCVD method

説明

我々は、プラズマフリーで低温かつ大面積堆積が可能なホットワイヤーＣＶＤ（ＨＷＣＶＤ）法により、シリコン炭窒化膜（SiCN）の研究を行ってきた。SiCN膜は耐食性に優れた透明絶縁膜である。本報告ではSiCN膜を機械加工分野で活用することを目的とし、SiCN膜の剥離強度、硬度、摩擦係数などシリコン炭窒化膜の特性について述べる。