Residual Subsurface Damaged Layer Evaluation of Single Crystal SiC Wafers by Accurate Angle Polishing Method

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  • 高精度アングルポリシング法による単結晶SiCウェハの加工ダメージ評価

Description

加工ダメージ深さを測る手法として、小片を用いた傾斜研磨法やステップエッチング法が知られている。単結晶ＳｉＣは単結晶シリコンと比較して、高強度・硬質であることから加工ダメージは浅い傾向にあり、ダメージ深さの測定には、より高精度な測定法が必要と考えられる。本研究では、ウェハ状態のまま傾斜研磨を行い、平面度測定機の座標データを用いて、オリフラ基準でダメージ深さを測定する方法について検討した。

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Details 詳細情報について

  • CRID
    1390282680634149888
  • NII Article ID
    130005486689
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2015a.0_239
  • Text Lang
    ja
  • Data Source
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • Abstract License Flag
    Disallowed

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