高精度アングルポリシング法による単結晶SiCウェハの加工ダメージ評価
書誌事項
- タイトル別名
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- Residual Subsurface Damaged Layer Evaluation of Single Crystal SiC Wafers by Accurate Angle Polishing Method
説明
加工ダメージ深さを測る手法として、小片を用いた傾斜研磨法やステップエッチング法が知られている。単結晶ＳｉＣは単結晶シリコンと比較して、高強度・硬質であることから加工ダメージは浅い傾向にあり、ダメージ深さの測定には、より高精度な測定法が必要と考えられる。本研究では、ウェハ状態のまま傾斜研磨を行い、平面度測定機の座標データを用いて、オリフラ基準でダメージ深さを測定する方法について検討した。
収録刊行物
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- 精密工学会学術講演会講演論文集
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精密工学会学術講演会講演論文集 2015A (0), 239-240, 2015
公益社団法人 精密工学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680634149888
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- NII論文ID
- 130005486689
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可
