p型とn型Si(001)表面室温酸化におけるO2解離吸着過程の比較
書誌事項
- タイトル別名
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- Comparison of O2 dissociative adsorption on Si(001) at room temperature between p-type and n-type conductivity
抄録
ｐとｎチャネルを組み合わせたCMOS作製では両チャネルを一緒に熱酸化し、酸化膜を形成している。今後、酸化温度の低下によりp型とn型Si(001)表面酸化過程に違いが現れる可能性があるため、紫外光電子分光により酸化過程のリアルタイム観察を行った。得られた仕事関数の値よりバンドベンディングの影響を差し引くことでそれぞれの表面電気二重層の挙動が明らかとなり、p型とn型ではO2解離吸着過程に大きな違いがあると判明した。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 35 (0), 388-, 2015
公益社団法人 日本表面真空学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680655262336
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- NII論文ID
- 130005489421
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可