中空円筒型カソードを用いた反応性スパッタリングにより作成したZrON薄膜の特性

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書誌事項

タイトル別名
  • Characterization of ZrON thin films prepared by reactive sputtering using a hollow cylindrical cathode

説明

ZrON系薄膜を石英ガラス、グラッシーカーボン基板上に中空円筒形カソードを用いた反応性スパッタリングにより作成した。X線回折から、薄膜はZrN、Zr2ON2、ZrO2の混合相で構成され、酸素流量に依存していた。XPS測定により、Zr3dバンドを評価した。電気化学測定では、酸素流量が0.4の酸化還元電位が最高であった。<br>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390282680656064768
  • NII論文ID
    130005974879
  • DOI
    10.14886/sssj2008.37.0_98
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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