水素プラズマ-シリコンの反応の赤外分光計測
書誌事項
- タイトル別名
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- Infrared spectroscopic study on reactions during hydrogen plasma irradiation onto Si
説明
水素プラズマによってSi基板はアモルファス化されることが知られている。この反応過程の詳細を明らかにするために，多重内部反射赤外吸収分光法を用いて水素プラズマとSi基板との相互作用を調べた。Si基板の水素プラズマ照射により Siは水素化されSiH2が形成されて安定化する。生成されたSiH2の赤外吸収ピークと水素プラズマ照射の時間との比較より，水素プラズマ照射に対する反応次数を0.5で説明できることが分かった。
収録刊行物
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- 表面科学学術講演会要旨集
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表面科学学術講演会要旨集 32 (0), 163-, 2012
公益社団法人 日本表面真空学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282680656328448
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- NII論文ID
- 130005456518
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- データソース種別
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- JaLC
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可