原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO<sub>2</sub>換算膜厚を持つhigh-<i>k</i>（<i>k</i>＝40）HfO<sub>2</sub>ゲートスタックの形成

DOI Web Site 参考文献42件
  • 森田 行則
    産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
  • 右田 真司
    産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
  • 水林 亘
    産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
  • 太田 裕之
    産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

書誌事項

タイトル別名
  • Extremely Scaled Equivalent Oxide Thickness of High-<i>k</i> (<i>k</i>=40) HfO<sub>2</sub> Gate Stacks Prepared by Atomic Layer Deposition and Ti Cap Anneal
  • 原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO₂換算膜厚を持つhigh-k(k=40)HfO₂ゲートスタックの形成
  • ゲンシソウ タイセキホウ ト Ti キャップアニール ニ ヨル ゴクウス SiO ₂ カンサン マクアツ オ モツ high-k(k=40)HfO ₂ ゲートスタック ノ ケイセイ
  • Extremely Scaled Equivalent Oxide Thickness of High-k (k=40) HfO2 Gate Stacks Prepared by Atomic Layer Deposition and Ti Cap Anneal

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抄録

We fabricate ultra-thin HfO2 gate stacks of very high permittivity value by using atomic layer deposition (ALD) and Ti-cap post deposition annealing. The HfO2 layer is directly deposited on hydrophilicized Si surface by ALD. A cubic crystallographic phase is generated in ALD-HfO2 by short time annealing with Ti capping layer. The Ti layer absorbs residual oxygen in HfO2 layer. The reduced oxygen concentration during annealing suppresses the growth of the interfacial SiO2 layer. The dielectric constant of ALD-HfO2 is enhanced to ～40, and extremely scaled ～0.2 nm equivalent oxide thickness of total gate stack is obtained.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 33 (11), 610-615, 2012

    公益社団法人 日本表面科学会

参考文献 (42)*注記

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