Si基板上への窒化物半導体のエピタキシャル成長技術とインパクト

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タイトル別名

Technology for epitaxial growth of nitride semiconductor on Si substrate and its impact
Si キバンジョウエノチッカブツハンドウタイノエピタキシャルセイチョウギジュツトインパクト

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説明

<p>Si基板上への窒化物半導体のエピタキシャル成長技術の歴史をまとめた．筆者が行ってきたAlN/GaNの多層膜開発の経緯と多層膜の応力緩和効果を説明した．口径5インチの厚膜成長でもひび割れなしが実現することを述べた．これらのウエハーを使った発光素子や電子素子を紹介した．</p>

収録刊行物

応用物理 76 (5), 489-494, 2007-05-10

公益社団法人応用物理学会

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詳細情報詳細情報について

Web Site: http://id.ndl.go.jp/bib/8808376; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8808376

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