半導体鉄シリサイドの結晶成長と基礎物性

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タイトル別名
  • Growth and characterization of semiconducting iron disilicide bulk crystals
  • ハンドウタイ テツ シリサイド ノ ケッショウ セイチョウ ト キソ ブッセイ

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抄録

<p>金属，半導体，磁性体と多彩な性質を示す鉄シリコン化合物の中で，半導体鉄シリサイド（β-FeSi2）は，Si基板上へのエピタキシャル成長が可能なことから，Siベースのオプトエレクトロニクス材料として期待されている．しかし，高品質なバルク単結晶の成長が難しいため，その諸物性については十分な研究が行われていない．本稿では，溶液成長法による β-FeSi2 バルク単結晶の成長技術と，得られた単結晶の電気的特性，光学的特性，構造特性について紹介する．</p>

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 76 (7), 790-793, 2007-07-10

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献 (17)*注記

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