反応性イオンエッチングを用いた極薄チタンウェハのドライナノ研磨技術の開発
書誌事項
- タイトル別名
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- Development of Dry-nano-polishing Technique using Reactive Ion Etching for Ultra Thin Titanium Wafer
- ハンノウセイ イオンエッチング オ モチイタ ゴクウス チタンウェハ ノ ドライナノ ケンマ ギジュツ ノ カイハツ
- Development of dry‐nano‐polishing technique using reactive ion etching for ultra thin titanium wafer
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説明
<p>In this study, we developed a dry-nano-polishing technique using reactive ion etching for ultra thin titanium wafer. The surface of titanium coated with photoresist is polished by reactive ion etching using SF6/C4F8 gas. Etching speed of titanium and photoresist were adjusted to close to each other by changing temperature and ratio of SF6/C4F8 gas. By etching titanium under these conditions, the smooth surface shape of the resist was transferred to titanium. By combining with photolithography, it is possible to polish a specific part.</p>
収録刊行物
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- 電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)
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電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌) 141 (4), 103-107, 2021-04-01
一般社団法人 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390287540627223808
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- NII論文ID
- 210000167015
- 130008014048
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- NII書誌ID
- AN1052634X
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- ISSN
- 13475525
- 19429541
- 13418939
- 19429533
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- NDL書誌ID
- 031391004
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- 本文言語コード
- ja
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- 資料種別
- journal article
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- データソース種別
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- JaLC
- NDLサーチ
- Crossref
- CiNii Articles
- KAKEN
- OpenAIRE
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可