TCADシミュレーションにおけるAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GeO<sub>2</sub>/Ge pMOSFETのゲート絶縁膜に存在する酸素空孔によるBTI特性の影響
書誌事項
- タイトル別名
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- TCAD simulation of BTI characteristics influenced by Oxygen Vacancies in Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GeO<sub>2</sub>/Ge pMOSFET
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 (0), 1747-1747, 2020-08-26
公益社団法人 応用物理学会
