成長時の酸素分圧がHfO<sub>2</sub>:Y/Si薄膜の結晶構造や誘電特性に及ぼす影響
書誌事項
- タイトル別名
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- Effect on crystal structure and the dielectric properties of HfO<sub>2</sub>:Y/Si films by oxygen partial pressure during deposition
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 1223-1223, 2020-02-28
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390292240175063168
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- ISSN
- 24367613
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC