CiNii 国立情報学研究所 学術情報ナビゲータ[サイニィ]
詳細へ移動
検索フォームへ移動
メニュー
検索
論文・データをさがす
大学図書館の本をさがす
English
検索
タイトル
人物/団体名
所属機関
ISSN
DOI
期間
〜
本文リンク
本文リンクあり
データソース
JaLC
IRDB
Crossref
DataCite
NDLサーチ
NDLデジコレ（旧NII-ELS）
RUDA
JDCat
NINJAL
CiNii Articles
CiNii Books
DBpedia
KAKEN
Integbio
PubMed
LSDB Archive
極地研ADS
極地研学術DB
OpenAIRE
公共データカタログ
【2025年5月12日更新】CiNii Dissertations及びCiNii BooksのCiNii Researchへの統合について
CiNii Researchナレッジグラフ検索機能（試行版）をCiNii Labsにて公開しました
【2025年6月30日更新】日経BP社提供データの更新停止及び削除について
「研究データ」「根拠データ」の収録について
GaNへのMgイオン注入におけるリコイルN原子の影響
DOI
ハーバート 甲斐
関学大理工
柴田 和樹
関学大理工
アスバル ジョエル
福井大院工
葛原 正明
関学大理工
書誌事項
タイトル別名
Effect of recoil-implanted N atoms on defect formation in Mg-implanted GaN
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 2412-2412, 2021-02-26
公益社団法人 応用物理学会
Tweet
キーワード
18a-Z15-6
半導体
化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価
窒化物半導体
GaN
イオン注入
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390292472549398144
DOI
10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2412
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
書き出し
RefWorksに書き出し
EndNoteに書き出し
Mendeleyに書き出し
RDFで書き出し
Refer/BibIXで表示
RISで表示
BibTeXで表示
TSVで表示
CSVで表示
JSON-LDで表示
問題の指摘
論文情報の修正
その他
ページトップへ