GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性のON/OFF比増大
書誌事項
- タイトル別名
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- Enhancement of ON/OFF ratio of nonvolatile memory characteristics using GaN/AlN resonant tunneling diodes
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 2567-2567, 2021-02-26
公益社団法人 応用物理学会