スパッタ法により形成したサファイア上SiドープAlNの電気特性

DOI

櫻井悠也

東大生研
上野耕平

東大生研
小林篤

東大生研
上杉謙次郎

三重大
三宅秀人

三重大
藤岡洋

東大生研 JST-ACCEL

書誌事項

タイトル別名

Electrical properties of Si-doped AlN prepared on sapphire by sputtering

収録刊行物

応用物理学会学術講演会講演予稿集

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 3187-3187, 2019-02-25

公益社団法人応用物理学会

キーワード

詳細情報詳細情報について

CRID

1390293202186102784
DOI

10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_3187
ISSN

24367613
本文言語コード

ja
データソース種別
- JaLC

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