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新「国立国会図書館サーチ」公開によるCiNiiサービスへの影響について
混合前駆体原料を用いたMOCVD法によるHfZrO<sub>2</sub>極薄膜の作製 ... ...
DOI
中野 元太
東理大理
中嶋 宇史
東理大理
JST さきがけ
橋爪 洋一郎
東理大理
岡村 総一郎
東理大理
書誌事項
タイトル別名
Fabrication of HfZrO<sub>2</sub> thin film from mixed precursor using MOCVD ... ... ...
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 1331-1331, 2018-09-05
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
20a-PB8-2
薄膜・表面
強誘電体薄膜
強誘電体・高誘電率薄膜
強誘電体
酸化ハフニウム
有機金属気相成長法
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390293434337253760
DOI
10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1331
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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