Si基板上の窒化物半導体結晶成長及びパワーデバイス

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タイトル別名
  • GaN-on-Si Heteroepitaxial Growth and Power Device

抄録

高温成長させたAlN初期層と歪超格子構造を用いることにより，大口径Si基板上に安価・高品質のパワーデバイス用AlGaN/GaN HEMT構造を作製した．本技術は，低耐圧領域ばかりでなく，スイッチング電源，サーバー用電源などの民生用エレクトロニクス分野を中心に，高い動作周波数域での650 V～1 kVの中電力領域のパワーデバイスへの応用開発が進められている．更に，ポスト5G時代の通信基地局の普及に不可欠なGaN系高周波デバイスへの広がりも期待されている．

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390298278366168704
  • DOI
    10.14923/transelej.2023jci0004
  • ISSN
    18810217
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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