MOVPEによるSi(100)基板上のGaP成長 : Si表面再構成プロセス条件の検討
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- 岡田 哲明
- 東大
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- 金 ボラム
- 東大
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- Supplie Oliver
- イルマニア工大
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- Pasazuk Agnieszka
- イルマニア工大
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- Hannappel Thomas
- イルマニア工大
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- 中野 義明
- 東大
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- 杉山 正和
- 東大
書誌事項
- タイトル別名
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- GaP Heteroepitaxy on Si (100) Substrate by MOVPE: Effect of process parameters on Si surface reconstruction process
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3497-3497, 2018-03-05
公益社団法人 応用物理学会