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【2023年10月31日掲載】CiNii Dissertations及びCiNii BooksのCiNii Researchへの統合について
新「国立国会図書館サーチ」公開によるCiNiiサービスへの影響について
実験的サービス公開サイトであるCiNii Labsを公開しました。
Stress distribution at SiO<sub>2</sub>/4H-SiC interface studied by Confocal Raman Microscopy
DOI
付 巍
筑波大
小林 藍
筑波大
矢野 裕司
筑波大
原田 信介
産総研
櫻井 岳暁
筑波大
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3666-3666, 2018-03-05
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
18p-P14-11
結晶工学
IV族系化合物（SiC）
物性評価
SiC ワイドギャップ半導体
共焦点ラマン
SiO2/SiC界面の歪
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390575130486100992
DOI
10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3666
ISSN
24367613
本文言語コード
en
データソース種別
JaLC
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