両面研磨における薄板ウェハの研磨圧力分布の解析手法の開発

書誌事項

タイトル別名
  • Development of Analysis Method of Polishing Pressure Distribution in Double-sided Lapping of Thin Wafer

説明

<p>半導体ウェハの製造工程において両面研磨は,均一な厚さの確保のため不可欠な加工技術である.本研究では,両面研磨における実用的な解析に活用できる,薄板ウェハの研磨圧力分布の解析手法を開発する.開発手法では,ウェハの剛性マトリクスを用いて定式化を行うことで,研磨圧力分布の高速推定を実現する.また本発表では,従来解析で大きな誤差が生じる薄板に対する両面研磨についての検討も行う.</p>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390845702276484864
  • NII論文ID
    130007702326
  • DOI
    10.11522/pscjspe.2019s.0_129
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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