改良型スパッタ法による強誘電体メモリ材料ナノ結晶の形成

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書誌事項

タイトル別名
  • Fabrication of nanocrystals of ferroelectric memory materials by improved sputtering

説明

<p>強誘電体メモリ(FeRAM)の実現には材料のナノサイズ化と高品質化が必要である。本研究ではスパッタ法を改良して強誘電体材料であるPbTiO3のナノ結晶の育成に取り組んだ。基板にはサファイアの原子平坦面を用いた。その結果、得られたナノ結晶は高い配向性を有し、サイズは均一でかつ規則正しく配列していた。この改良スパッタ手法で、強誘電体ナノ結晶の高品質化に加え、形成位置の制御も可能であることが示された。</p>

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1390853443032020480
  • NII論文ID
    130008134212
  • DOI
    10.14886/jvss.2021.0_3ba07
  • ISSN
    24348589
  • 本文言語コード
    ja
  • データソース種別
    • JaLC
    • CiNii Articles
  • 抄録ライセンスフラグ
    使用不可

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