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AlGaN系窒化物スパッタエピプロセスの開発
DOI
藤岡 洋
東大生研
JST-ACCEL
櫻井 悠也
東大生研
上野 耕平
東大生研
小林 篤
東大生研
書誌事項
タイトル別名
Development of sputtering epitaxial growth processes for AlGaN
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 265-265, 2018-09-05
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
18p-146-3
シンポジウム
窒化物半導体特異構造の科学 ～窒化物プロセス技術の新展開～
窒化物半導体
結晶欠陥
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390856384291512064
DOI
10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_265
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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