表面再構成制御法を用いたSi(111)基板上へのIn<sub>0.2</sub>Ga<sub>0.8</sub>Sbエピタキシャル成長
書誌事項
- タイトル別名
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- Epitaxial growth of In0.2 Ga0.8 Sb on Si (111) substrate using surface reconstruction control method
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 3233-3233, 2018-09-05
公益社団法人 応用物理学会