MOVPE成長N極性(000\overline{1})p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響
書誌事項
- タイトル別名
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- Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000\overline{1}) p-type GaN grown by MOVPE
収録刊行物
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- 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 3105-3105, 2015-08-31
公益社団法人 応用物理学会