MOVPE成長N極性(000\overline{1})p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響

DOI

書誌事項

タイトル別名
  • Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000\overline{1}) p-type GaN grown by MOVPE

収録刊行物

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ