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【2023年10月31日掲載】CiNii Dissertations及びCiNii BooksのCiNii Researchへの統合について
新「国立国会図書館サーチ」公開によるCiNiiサービスへの影響について
RFマグネトロンスパッタリング法による高移動度ワイドギャップ半導体ZnInON膜の作製-Ar分圧依存性-
DOI
松島 宏一
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内田 儀一郎
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古閑 一憲
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白谷 正治
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板垣 奈穂
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JSTさきがけ
収録刊行物
応用物理学会学術講演会講演予稿集
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.2 (0), 4444-4444, 2013-08-31
公益社団法人 応用物理学会
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キーワード
17a-B4-3
合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
酸窒化物半導体
スパッタリング
ZnInON
詳細情報
詳細情報について
CRID
1390859989725775872
DOI
10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_4444
ISSN
24367613
本文言語コード
ja
データソース種別
JaLC
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